John Battiscombe Gunn
personne
physicien britannique
John Battiscombe Gunn (né le 13 mai 1928 en Égypte - mort le 2 décembre 2008 à Mount Kisco) est un physicien d'IBM d'origine britannique. Il a donné son nom à l'effet Gunn et à la diode Gunn basée sur cet effet.
Liens externes
Lien Wikipedia : https://fr.wikipedia.org/wiki/John_Battiscombe_Gunn
Lien Wikidata : https://www.wikidata.org/wiki/Q710883
Propriétés
- date_deces
- +2008-12-0
- date_naissance
- +1928-05-1
- genre_personne
- masculin
- lieu_deces
- {"qid": "Q2412514", "label": "Mount Kisco"}
- lieu_naissance
- {"qid": "Q85", "label": "Le Caire"}
- nationalite
- Royaume-Uni
- occupation
- physicien ou physicienne
- p106_all
- physicien ou physicienne, ingénieur